jueves, 27 de mayo de 2010
3Plast ofrece innovaciones
NOMFET: Un transistor que imita neuronas
Hacia los Transistores Espintrónicos de Plástico
Un átomo consta de un núcleo de protones y neutrones, y una coraza de electrones orbitando alrededor del núcleo. Además de la carga eléctrica, algunos núcleos y todos los electrones tienen una propiedad conocida como el "espín", que es como el momento angular intrínseco de una partícula. A menudo se describe el espín de un electrón como un imán en forma de barra que apunta hacia arriba o hacia abajo.
miércoles, 26 de mayo de 2010
Crean un nuevo polímero para semiconductores orgánicos
Los semiconductores orgánicos podrían ampliar sus horizontes con este nuevo desarrollo. Foto: Universidad de Washington.
La gran ventaja del nuevo polímero es que permite trabajar con cargas positivas y negativas con un único dispositivo. Foto: Universidad de Washington.
Un nuevo camino abierto La investigación fue financiada por la National Science Foundation, el Departamento de Energía de los Estados Unidos y la Fundación Ford, además de contar con la colaboración de expertos de la Universidad de Kentucky. La pregunta que surge a la vista de sus resultados es: ¿podrán estos nuevos materiales destronar al silicio de su sitial en la industria de la electrónica?.
Principales aplicaciones
Crean el primer transistor orgánico que imita el funcionamiento de las neuronas
Un equipo de investigación francés ha creado un transistor orgánico que podría abrir paso a una nueva generación de ordenadores capaces de responder de una manera similar a la del cerebro. La gran innovación de este nuevo transistor, al que han bautizado como NOMFET (Nanoparticle Organic Memory Field-Effect Transistor), consiste en la combinación de un transistor orgánico, basado en moléculas de pentaceno, con nanopartículas de oro. Por Elena Higueras.
La primera imagen de los átomos de una molécula En agosto de 2009, científicos del laboratorio de IBM en Zúrich lograron visualizar por primera vez la imagen completa de los átomos de una molécula. Era el pentaceno, un tipo de compuesto orgánico con el que, meses más tarde, los investigadores del CNRS y de la CEA han conseguido crear el nuevo transistor NOMFET. El pentaceno fue “fotografiado” gracias a un Microscopio de Fuerzas Atómicas (AFM), que permite ver y manipular la materia a dicha escala. La captación de su imagen supuso un avance significativo en el desarrollo de la electrónica molecular. Sin duda, un paso más para aumentar las prestaciones de dispositivos electrónicos como ordenadores o teléfonos móviles.
Diabéticos “con suerte” dentro de lo que cabe
La diabetes es una enfermedad crónica que padecen muchos (que padecerán muchos más en el futuro) que requiere un estricto control alimentario y medidas periódicas de los niveles de glucosa en sangre. Estas medidas son engorrosas para el enfermo. Un medidor continuo de glucosa podría ser la base del sistema microelectrónico de un “páncreas” artificial, que produjera insulina sólo cuando fuera necesaria. Avances recientes nos indican que esta posibilidad no se puede descartar en un futuro no muy lejano (si eres diabético, lo siento, esto puede tardar más de una década).
Se acaba de publicar el desarrollo de un nuevo tipo de sensor de glucosa nanotecnológico que utiliza nanohilos de silicio para medir en vivo y de forma continua la cantidad de glucosa en sangre [Mohanty's group, "Silicon-based Nanochannel Glucose Sensor," Appl. Phys. Lett. 92, 013903 (2008)]. El biosensor desarrollado por Raj Mohanty en la Universidad de Boston puede implantarse fácilmente en el paciente y puede sustituir a las medidas “gota a gota” de la glucosa. El nuevo sensor, que mejora sustancial nanosensores previos [Chen et al. "Silicon nanowires for high-sensitivity glucose detection," Appl. Phys. Lett. 88, 213104 (2006)] que tenían el gran inconveniente de que eran difíciles de fabricar con las tecnologías actuales (litografía de electrones) de fabricación de chips de silicio (como el Pentium que tienes en el ordenador en el que lees esto).
El nuevo nanosensor utiliza un conjunto de nanohilos (nanocanales) de silicio recubiertos del enzima glucosa-oxidasa que generan un efecto tipo transistor de efecto de campo (FET) biológico (BioFET) [ver la foto, arriba]. La glucosa-oxidas en cada nanohilo de unos 50-100 nanómetros de ancho y unos 6 micrometros de largo permite oxidar la glucosa en sangre mediante una reacción en dos pasos [ver la foto, arriba]. En el primer paso, una molécula de glucosa-oxidasa contiene dos moléculas de una forma oxidada del dinucleótido de flavina y adenina (FAD) que se reduce rápidamente con oxígeno produciendo peróxido de hidrógeno y restarando la forma no oxidada de dicho enzima. En el segundo paso, el polihidroxiácido gluconolactona esponténeamente se hidroliza a ácido glucónico generando un protón (ión de hidrógeno) que cambia localmente el pH de la solución. Los nanosensores son sensibles a dicho cambio de pH, que altera el potencial superficial de los nanohilos y genera un campo eléctrico que modula la conductancia del BioFET. Este efecto es fácilmente amplificado con tecnología estándard de silicio.
El nuevo nanosensor es biocompatible gracias a la tecnología utilizada (aunque todavía no se ha verificado este hecho con experimentos en animales, según Mohanty, actualmente en curso). El nuevo avance permitirá una incorporación más rápida en el mercado de este tipo de bio-nanosensores de glucosa [Belle Dumé, "Glucose sensor goes nano," nanotechweb.org, 2008] lo que hará más soportable la convivencia con la diabetes (especialmente para niños y ancianos).
¿Cómo se hace un genio? (o la historia de Bardeen y el primer transistor)
Bardeen acabó los cursos de su carrera en 1928, con 20 años, y defendió su proyecto fin de carrera (Master Thesis) en 1929. Solicitó una beca para visitar Europa, en concreto para estudiar Física en el Trinity College de Cambridge, UK. Sin embargo, a pesar de sus buenas recomendaciones, no se la concedieron. Se tuvo que quedar en Madison como ayudante de investigación de Edward Bennett que trabajaba en los efectos de la difreacción en el diseño de antenas. La depresión de 1929 hizo difícil que Bardeen encontrara trabajo, recayendo finalmente en 1930 en la “Gulf Oil Company” de Pittsburgh, que le ofreció un puesto de geofísico, para estudiar prospecciones petrolíferas.
La investigación y el mundo académico “tiran mucho.” Bardeen decidió retornar, abandondando un buen puesto de trabajo en Gulf. Solicitó ser admitido en Princeton para desarrollar un Doctorado en Matemáticas, en 1933, cuando ya tenía 25 años. La cruzada de Hitler contra los científicos judíos hizo que muchos emigrasen a EEUU y algunos de los mejores acabarían en Princeton, atraídos por el nuevo Institute for Advanced Study (fundado por un propietario de una línea de supermercados que no sufrió la crisis del 1929, “todo el mundo tiene que comer,” y quiso “retornar” a sus conciudadanos parte de sus beneficios). Al IAS llegaron físicos de la talla de Albert Einstein, Hermann Weyl, Eugene Wigner o John von Neumann. En 1933, Princeton era uno de los mejores lugares de EEUU para estudiar Física y Matemáticas, todo un paraíso.
Walter Brattain era uno de los compañeros de clase de Bardeen en Princeton y rápidamente “hicieron buenas migas”. Walter simultaneaba sus estudios con un trabajo como físico en los Bell Telephone Laboratories, la rama de investigación y desarrollo de la American Telephone and Telegraph Corporation (AT&T). Era de los pocos físicos de los Bell Labs que pensaba que la mecánica cuántica sería muy importante a la hora de resolver los problemas de comunicaciones de la AT&T. Logró que la propia compañía le pagara los estudios tras asistir a una conferencia de Arnold Sommerfeld, en Ann Arbor, en la Escuela de Verano de Física Teórica de Michigan en 1931, sobre las nuevas teorías ”del electrón” en los metales.
Eugene Wigner estaba interesado en aplicar la nueva mecánica cuántica al estudio de los sólidos. Bardeen decidió hacer su tesis doctoral bajo la dirección de Wigner (sólo 6 años mayor que él). Wigner le sugirió a Bardeen que calculara la función de trabajo de un metal, la energía necesaria para extraer un electrón de su superficie. Una tesis doctoral en Física Teórica del Estado Sólido, a principios de los 1930s cuando sólo en 2 lugares en el mundo se ofrecían doctorados en este tópico: uno en el MIT, en Massachusetts, bajo la dirección de John Slater, y otro en la University of Bristol, Gran Bretaña, bajo la dirección de John E. Lennard-Jones, Nevill Mott, y Harry Jones. En su tesis doctoral Bardeen utilizó la aproximación de Hartree-Fock para la función de onda del electrón en un metal con objeto de resolver el problema planteado por Wigner. La defendió en enero de 1936 (su padre falleció el año anterior lo que le retrasó la defensa de la tesis). Gracias a su tesis logró una plaza de investigador en Harvard, Cambdrige, el mejor lugar para realizar un postdoc en EEUU en la época, como “junior fellow”.
En Harvard, Bardeen trabajó entre otros temas de la física del estado sólido en la teoría de la superconductividad. En 1933, Meissner y Ochsenfeld descubrieron que los superconductors repelen campos magnéticos, el “efecto Meissner,” lo que indicaba que la transición de fase entre estado normal y superconductor de un metal era reversible. Los hermanos London, Fritz y Heinz, desarrollaron una teoría fenomenológica de la superconductividad para explicar dicho efecto. Bardeen trató de extender y generalizar esta teoría pero sin éxito. Entre 1935-36, Bardeen se hizo amigo de William Shockley, entonces estudiante de doctorado de Slater. En marzo de 1936, Shockley recibió una oferta de trabajo envidiable para trabajar en los Bell Telephone Laboratories que no pudo rechazar. Para sorpresa de sus compañeros, Bardeen abandonó Harvard en mayo de 1938 para aceptar una plaza de Assistant Professor en la University of Minnesota, Minneapolis, invitado por John Tate, editor principal de la revista Physical Review, quien fue director de la tesis doctoral de Walter Brattain, quien deseaba un departamento “fuerte” en física del estado sólido. Bardeen aprovechó para casarse.
Con la Gran Guerra, se vio obligado a abandonar la Universidad y dedicarse a servir a la patria en investigación militar (acabó recibiendo una Medalla al Mérito Civil). Tras la guerra, la Física del Estado Sólido era reconocida como una de las grandes ramas de la Física y Kelly, los Bell Labs, quien atrajo a Shockley, quería formar un grupo “fuerte” en esta materia. Contaba también con Walter Brattain entre otros, y estaba intereado en Bardeen, a quien ofreció mejor salario y sin obligaciones docentes. Bardeen no pudo rechazar la oferta y el 15 de octubre de 1945 ya era miembro de los Bell Labs para trabajar en física de semiconductores, junto a Brattain y Shockley.
El 22 de octubre de 1945, Shockley le pidió a Bardeen que estudiara un diseño que había desarrollado 6 meses antes para un amplificador de “efecto de campo” de silicio. Sin embargo, el diseño en la práctica no funcionaba. Shockley no sabía el porqué, ya que las teorías de semiconductores en boga como las de Mott y Schottky predecían lo contrario. Bardeen sabía que la teoría debía estar mal. Faltaba algo. Aplicó algunas de las técnicas que desarrolló en su tesis doctoral para el estudio de electrones en superficies y mejoró la teoría, pero no logró resolver el problema completamente. En verano de 1947, Shockley y Bardeen estuvieron de gira por Europa. Tras retornar, Shockley decidió reorientar su investigación a problemas de dislocaciones en semiconductores.
Noviembre de 1947 fue el mes “mágico” para Bardeen: Brattain había encontrado que gotas de agua en la superficie del amplificador de Shockley alteraban mucho su comportamiento eléctrico. Bardeen sugirió que los iones móviles en los electrolitos (o las gotas de agua) podían crear un campo eléctrico suficientemente grande como para superar los estados electrónicos superficiales que reducían el efecto de amplificación. Depositando agua o un electrolito se lograba formar una capa de carga positiva en una superficie y una negativa en la otra, con lo que habían logrado fabricar un amplificador de efecto de campo. El 20 de noviembre, escribieron la solicitud de patente. Por supuesto, quedaban muchos detalles por concretar. Shockley no intervo en el descubrimiento, estaba “en lo suyo”. Bardeen, teórico, trabajó mano a mano con Brattain (físico) y con Gibney (químico) en la parte experimental. Aunque la propuesta de Bardeen del 21 de noviembre todavía no presentaba el efecto amplificador deseado, contenía los elementos fundamentales del primer transistor.
Shockley, en las navidades de 1947, se dió cuenta de la importancia del descubrimiento de Brattain y Bardeen, y se puso a trabajar duro y el lunes, 28 de diciembre, había diseñado el primer transistor bipolar. Citó por separado a Brattain y Bardeen para “que quedara clara” su participación en el descubrimiento. Kelly quería que todo se mantuviera en el más absoluto secreto (se rumoreaba que había un descubrimiento similar en Europa). El 30 de junio de 1948 se hizo público el dispositivo que ya tenía nombre: transistor. A partir de ese momento, Shockley, Brattain y Bardeen se convirtieron en “estrellas”, viajando por todo el país dando múltiples conferencias. Shockley estaba encantado en su papel de “estrella”. Brattain y, sobre todo, Bardeen estaban “hartos”. En 1950, Bardeen ya no quería trabajar en los mismos problemas que Shockley y empezó a darle vueltas al problema que le quitó el sueño antes de la Gran Guerra, la superconductividad. Pero esa es otra historia.
Memristores, un paso más en la computación
Llega el 'chip' de grafeno
El reinado del silicio está llegando a su fin. No sufran, ya tiene sustituto y se llama grafeno. En 15 o 20 años ordenadores, móviles, sensores y otros equipos electrónicos serán de este nuevo material, una forma de carbono puro.
Con propiedades entre semiconductor y metal, este nuevo material de una sola capa atómica de espesor revolucionará las telecomunicaciones y la informática al permitir la fabricación de microprocesadores, sensores y sistemas de comunicación mucho más veloces que los actuales. "Uno de los paradigmas de la electrónica es incrementar la frecuencia de las señales eléctricas, para fabricar ordenadores cada vez más rápidos o móviles capaces de transmitir datos a mayor velocidad. "Si con los chips de silicio podríamos llegar como máximo a los 100 GHz de velocidad, usando transistores de grafeno se alcanzaría el terahercio (1 THz). Es decir, 10 veces más", dice este madrileño de 30 años, profesor del MIT.El prototipo de "transistor de grafeno" fue presentado en la reunión anual de la Sociedad Americana de Física en marzo. También se publicará en la Electron Device Letters, la revista más prestigiosa de aparatos eléctronicos de Estados Unidos, en su edición de mayo. Si todo va bien, en dos años saldrán versiones comerciales de estos chips avanzados al mercado.
El equipo de Palacios no sólo ha fabricado transistores diez veces más rápidos que los de silicio. También aprovecha las propiedades del grafeno para desarrollar aparatos electrónicos que no se podrían fabricar con ningún otro material. Por ejemplo, un multiplicador de frecuencia que "mejorará las comunicaciones inalámbricas y la electrónica de silicio actual, duplicando la capacidad de transmisión de cada chip al que se le añada el multiplicador".
Palacios es un ingeniero de telecomunicaciones. Con 19 años ya investigaba sobre semiconductores compuestos, como el nitruro de galio, en la Universidad Politécnica de Madrid (UPM). Al año de acabar la carrera, se trasladó a la de California para ampliar estudios. Terminado el doctorado, consiguió plaza de profesor en el departamento de ingeniería electrónica y ciencias de la computación del MIT. Además, empezó a dirigir un equipo de 12 personas en los laboratorios de tecnología de microsistemas del mismo centro tecnológico. Allí han conseguido fabricar los transistores de grafeno capaces de transmitir datos a gran velocidad. También desarrollan un sensor basado en este material que, con sólo apuntar a un alimento, determinará si es fresco.
El grafeno es carbono en estado puro. Muchos investigadores lo han estudiado de manera teórica durante más de 50 años. Nadie creía que se podían fabricar dispositivos con este material hasta que, en 2004, científicos de la universidad de Manchester (Gran Bretaña) descubrieron cómo obtener grafeno del grafito, el material de la mina del lápiz. "Si pegas y despegas múltiples veces un trozo de celo impregnado con fragmentos de grafito de la mina, acabas obteniendo grafeno: una única capa de átomos de carbono", precisa Palacios.
El procedimiento era muy rudimentario, pero abrió la puerta para que muchos científicos empezaran a trabajar con el material, cuyas propiedades son "asombrosas y únicas. A nivel mecánico, es el más resistente jamás descubierto. En un futuro, podría permitir la fabricación de cualquier estructura, como coches y aviones, más resistente y ligera. A nivel electrónico, es el de mayor movilidad, cien veces la del silicio, lo que permite acelerar los electrones hasta velocidades muy superiores a las posibles en cualquier otro semiconductor", asegura Palacios.
Graphene Industries, creada por los descubridores del grafeno, es la única compañía que lo vende. De momento. Varios grupos universitarios y empresas tratan de desarrollar una manera alternativa para obtenerlo, y que sea fácil de producir industrialmente, su principal escollo.
Jing Kong, colega de Palacios en el MIT, crea obleas enteras de grafeno sobre una superficie de níquel. "Este método es más útil desde el punto de vista comercial, sin embargo la movilidad del grafeno es menor que la que se obtiene pegando y despegando trozos de celo". El investigador, convencido de sus posibilidades, afirma: "Es un material increíble. No sólo revoluciona la electrónica, la informática y las comunicaciones, sino que está cambiando la manera en la que se estudia la física".
Mini acelerador de partículas
¿Le suena el acelerador de partículas del CERN? El complejo, que ocupa kilómetros cuadrados cerca de Ginebra (Suiza), sirve para explorar el mundo de lo infinitamente pequeño para buscar los elementos fundamentales de la materia. Los físicos están tratando de usar el grafeno para fabricar una especie de acelerador en miniatura. "En un fragmento de grafeno de un único centímetro cuadrado es posible realizar muchos de los experimentos que hasta ahora requerían laboratorios como el del CERN".
Si se convierte en realidad, los científicos podrían buscar el Bosón de Higgs, una partícula elemental hipotética, que aún no ha sido observada, y conocida como la partícula Dios, en un laboratorio que cabe en la yema del dedo.
En la naturaleza, los materiales se pueden dividir en tres tipos según cómo conducen la electricidad: los conductores, los aislantes y los semiconductores.
El cobre fue, es y seguirá siendo un material estratégico, que se emplea desde la antiguedad. Es el metal no precioso (oro, plata) que mejor conduce la electricidad. El cable que permitió transmitir información de un punto a otro por primera vez estaba hecho de este duradero material que se puede reciclar casi ilimitadamente. También utilizan cobre los cables eléctricos, los componentes de numerosos equipos electrónicos y la mayoría de hilos telefónicos que dan acceso a Internet.
El primer transistor era de germanio, un semiconductor, y fue inventado por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley en los laboratorios Bell, por lo que recibirían el Premio Nobel. Su desarrollo desembocó en numerosas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero fue rápidamente sustituido por el silicio, otro semiconductor mucho más estable y fácil de fabricar. Actualmente, el germanio se emplea en la fabricación de fibra óptica o los equipos de visión nocturna, entre otras aplicaciones.
Hasta ahora, el mejor material para desarrollar los transistores de los chips es el silicio, el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre.
La región al sur de San Francisco, donde se concentran muchas empresas de informática y electrónica, se conoce como Silicon Valley (Valle del Silicio). Sin embargo, este material, que se obtiene de la arena, no sirve para fabricar emisores de luz como el láser, los LEDs o las señales de tráfico, de ahí que se desarrollaran los semiconductores compuestos, como el arseniuro de galio y el nitruro de galio. Los móviles, por ejemplo, combinan varios chips de silicio, arseniuro de galio y nitruro de galio, entre otros componentes.
martes, 25 de mayo de 2010
Tan fácil como tocar y pegar o cómo depositar capas monoatómicas de grafeno sobre silicio y óxido de silicio utilizando cobre
Rod (Rodney S.) Ruoff, coautor del artículo, nos recuerda que “el grafeno permitirá ordenadores más rápidos, con un menor consumo, nuevas células solares fotovoltaicas para producción de electricidad, nuevos dispositivos de comunicaciones de muy alta frecuencia, y nuevas tecnologías para pantallas planas de TV.” Rod se ha quedado sin aire. El grafeno sirve para todo, pero su mayor ventaja ya la contamos en este blog, se pega muy bien sobre silicio u óxido de silicio, materiales ampliamente utilizados en la industria microelectrónica actual. El grafeno es el paso intermedio ideal hacia la nanoelectrónica: capas monoatómicas (de menos de un nanómetro de espesor) trabajando de la mano con dispositivos y estructuras semiconductoras convencionales (con la tecnología de 0.12 micras son estructuras 250 veces más gruesas).
Ya se fabrican en laboratorio transistores de efecto de campo (tipo FET) que utilizan grafeno. Todo sería más fácil si se pudiera dopar el grafeno como se hace con el silicio para obtener materiales semiconductores dadores (tipo n) y aceptores (tipo p) de electrones. Ya se sabía que las nanotiras de grafeno (de sólo unas decenas de nanómetros de anchura) a temperatura ambiente adsorben (se adhieren) moléculas aceptoras de electrones (tipo p). Hoy se publica en Science un artículo que muestra que al calentar estas nanotiras de grafeno en una atmósfera con amoniaco, el nitrógeno se incorpora al grafeno (pegándose literalmente a su borde) convirtiéndolo en un material dador de electrones (tipo n). Moléculas que se pegan a los bordes de la nanotira de grafeno y que alteran sus propiedades. Más aún, de esta forma se pueden obtener grafeno (dopado) tipo p y tipo n de una manera sencilla y efectiva, lo que facilitará el desarrollo de nuevos tipos de transistores y dispositivos nanoelectrónicos. La ciencia y técnica del grafeno avanzando a pasos agigantados. Lo que está de moda, ya se sabe, está de moda. El artículo técnico es Xinran Wang et al. “N-Doping of Graphene Through Electrothermal Reactions with Ammonia,” Science, 324: 768-771, 8 May 2009 .
La analogía entre un transistor y un grifo llevada a su extremo utilizando microfluidos
Para los estudiantes de electrónica, ingeniería y física a los que les han explicado el funcionamiento de un transistor como si fuese un grifo de agua, este tipo de sistemas microfluídicos análogos a diodos y transistores serán de gran interés. Además, normalmente la analogía se aplica a transistores bipolares, con lo que espero que disfruten con su aplicación a transistores de efecto de campo (FET). Las analogías físicas siempre ayudan y muchas veces son la base de un nuevo campo de conocimiento. En resumen, un artículo muy curioso, sin lugar a dudas.
Toshiba prepara un disco duro híbrido con tecnología tradicional y de estado sólido
Según cuenta Tech-On, Toshiba aumentará su capacidad de fabricación de chips de memoria Flash con una nueva planta cuya construcción se iniciará en julio y terminará la próxima primavera. Pero antes que eso planea comenzar a producir chips de 64 bits con tecnología de fabricación 2Xnm, es decir, de entre 20 y 29 nanómetros, porque, según Norio Sasak, consejero delegado de la compañía, las mismas técnicas que se han usado para los chips de 32 nanómetros pueden emplearse a un tamaño más pequeño.
Cuando se habla de nanómetros al referirse a la producción de circuitos integrados o chips, se refiere al tamaño que ocupa un transistor, que es el "ladrillo" con el que se construyen estos ingenios electrónicos. A menor tamaño, si todo lo demás permanece constante, el chip resultante será más pequeño (claro), con menor consumo y más rápido. No obstante, suele aprovecharse para aumentar el número de transistores del circuito, lo que en un chip de memoria se traduce en una mayor capacidad.
Por otro lado, Toshiba está planeando introducir nuevas tecnologías como BiCS (Bit Cost Scalable) para reemplazar a las tradicionales memorias Flash. BiCS permitiría aprovechar las tres dimensiones incorporando varias capas de circuitos integrados colocadas verticalmente aumentando la capacidad sin incrementar la superficie.
Además, la empresa japonesa estaría preparando un nuevo tipo de disco duro híbrido, que incorporaría tanto memoria Flash, como los discos de estado sólido, como un disco magnético de los de toda la vida. El objetivo sería disponer de la capacidad de almacenamiento de un disco duro tradicional pero mejorando tanto su rendimiento como su consumo de energía. Este aparato podría ahorrar hasta un 80% de la energía gastada por estos dispositivos, según Toshiba.
Memorias flash “inteligentes” que utilizan memristores nanotecnológicos
La “cerebro” de tu ordenador funciona gracias a la operación conjunta de una memoria para los datos y unos circuitos electrónicos que implementan operaciones lógicas que se aplican a los datos y que controlan el flujo de estas operaciones. Utilizando nanocircuitos basados en un nuevo elemento circuital, llamado memristor, es posible unir ambas funciones en una sola. Además, los memristores son elementos nanotecnológicos ya que se pueden fabricar en un área de 50 nanómetros cuadrados. Julien Borghetti y sus colegas publican en Nature como un memristor puede implementar operaciones lógicas que combinan circuitos combinacionales y secuenciales en un solo elemento. El nuevo artículo demuestra que un circuito con sólo dos memristores puede utilizados para ejecutar la operación lógica de implicación, IMP, y con sólo tres memristores la operación lógica NAND (“no y” lógico). Recuerda cuando estudiaste “Lógica” que p IMP q significa “p implica q,” o “si p, entonces q,” que equivale a (NOT p) OR q, y que la operación p NAND q, significa “no (p y q),” es decir, NOT(p AND q). Esta última puerta es una puerta universal, toda función lógica se puede implementar utilizando sólo puertas NAND. Leon Chua en 1971 propuso un cuarto elemento eléctrico pasivo, el memristor (M), contracción de “memory-resistor” (resistencia con memoria), que como indica su nombre combina un elemento de memoria y una resistencia. El memristor complementa a los tres elementos ya conocidos en teoría de circuitos: la resistencia (R), el condensador (C) y la inductancia (L). Hace dos años se descubrió como fabricar memristores nanotecnológicos (en este blog). La ventaja de los memristores es que funcionan a la vez como elementos de memoria y como operadores lógicos (en la tecnología convencional se requiere una implementación separada de elementos de memoria, lógica secuencial, y elementos lógicos, lógica combinacional). El artículo técnico es Julien Borghetti, Gregory S. Snider, Philip J. Kuekes, J. Joshua Yang, Duncan R. Stewart & R. Stanley Williams, “‘Memristive’ switches enable ‘stateful’ logic operations via material implication,” Nature 464: 873-876, 8 April 2010.
En 1936, más de una década antes de la invención del transistor, Claude Shannon inventó la electrónica digital en su proyecto fin de carrera. Mostró como implementar las operaciones booleanas básicas, p OR q, y p AND q, utilizando circuitos electrónicos con contenían conmutadores en serie (puerta OR) y paralelo (puerta AND). Utilizando un relé logró incluir la operación NOT. La implicación IMP y la puerta siempre falso definen un conjunto universal de puertas lógicas (toda función lógica se puede construir con ellas), también lo define una única puerta NAND (o NOR). El artículo de Borghetti et al. muestra cómo implementar una operación IMP utilizando dos memristores y una operación NAND con tres memristores.
Implementación de una puerta lógica NAND con tres memristores (P, Q, y S). (C) Nature.
El futuro de las memorias flash (que todos usamos en los lápices de memoria USB) promete ser realmente revolucionario en los próximos años con terabytes de memoria en lápices de memoria con un tamaño mínimo (el del conector del puerto USB)