jueves, 27 de mayo de 2010

3Plast ofrece innovaciones


La Unión Europea ha concedido a un grupo de investigadores más de 2 millones de euros para que propongan soluciones innovadoras destinadas a sistemas de seguridad y protección así como interfaces hombre-máquina fáciles de usar y de coste asequible para las industrias europeas. El proyecto 3PLAST («Tecnología de sensores piroeléctricos y piezoeléctricos imprimibles en superficies grandes»), respaldado por el Séptimo Programa Marco (7PM), está trabajando en nuevos conceptos de sensores producidos mediante procesos de alto rendimiento para mercados de gran volumen.

3PLAST reúne desde 2008 a entidades científicas e industriales que colaboran para fabricar en serie sensores de presión y temperatura que puedan imprimirse en láminas de plástico con un coste bajo y acoplarse de manera flexible a una amplia gama de objetos cotidianos.

«El sensor en cuestión se compone de polímeros piroeléctricos y piezoeléctricos que ya se pueden procesar en grandes cantidades mediante serigrafía, por ejemplo», explicó el Dr. Gerhard Domann, del Instituto Fraunhofer para la Investigación de Silicatos (ISC), organismo coordinador del proyecto 3PLAST. «El sensor se combina con un transistor orgánico que refuerza la señal de aquél, y que lo hace en mayor medida al contacto con un dedo. Lo singular de nuestro sensor es que el transistor también se puede imprimir.»

Los socios del proyecto sacaron a relucir ciertas dificultades que pueden surgir durante la producción de sensores poliméricos. Por ejemplo, sólo pueden fabricarse transistores imprimibles cuando los materiales aislantes son muy finos, un obstáculo que han resuelto los investigadores del ISC al fabricar un aislante cuyo grosor es de apenas cien nanómetros. Según informan, ya se han imprimido en láminas los primeros sensores. En la actualidad el equipo científico trabaja en el desarrollo de transistores optimizados capaces de amplificar cambios rápidos de temperatura y presión.

«Al suministrar a objetos cotidianos información sobre su entorno, por ejemplo la proximidad de una persona, por medio de sensores de presión y temperatura, estamos en disposición de crear y comercializar nuevos dispositivos que se pueden controlar con tan sólo señalar con el dedo», indicó el Dr. Domann. «El proyecto finalizará en enero de 2011, pero opinamos que deberán pasar unos pocos años más hasta que los sensores se puedan imprimir en superficies grandes», añadió.

Los socios de 3PLAST consideran que esta tecnología también podrá aplicarse en el campo de la robótica y en industrias como la automoción y la construcción.

En el proyecto colaboran el Instituto Fraunhofer de Investigación Aplicada sobre Polímeros (Alemania), ASEM GmbH (Alemania), Festo AG & Co. KG (Alemania), Motorola (Alemania), Joanneum Research NMP (Austria), Acreo AB (Suecia), IEE SA (Luxemburgo), Johannes Kepler Universität Linz (Austria) y Emfit Ltd (Finlandia).

NOMFET: Un transistor que imita neuronas

Un equipo de investigación francés, compuesto por especialistas del CNRS (Centre National de la Recherche Scientifique) y de la CEA (Commissariat à l'Énergie Atomique), ha creado el primer transistor orgánico capaz de imitar el funcionamiento de las neuronas.
El dispositivo, que podría ser el primer paso para construir una nueva generación de ordenadores capaces de responder de una manera similar a la del cerebro humano, basa su funcionamiento en una propiedad neuronal llamada plasticidad, que le permite “aprender” de los estímulos externos que recibe.
Un grupo de científicos franceses ha creado el primer transistor orgánico capaz de comportarse de una forma parecida a la de una neurona biológica. En efecto, mientras que los transistores convencionales se comportan básicamente como llaves que permiten o no el paso de una señal, o como “amplificadores” cuya intensidad de salida depende de la de entrada, los nuevos dispositivos pueden modificar su comportamiento en función de los estímulos que recibe.
Construidos a partir de nanoparticulas de oro y moléculas de pentaceno, los nuevos NOMFET (Nanoparticle Organic Memory Field-Effect Transistor) basan su funcionamiento en una propiedad neuronal llamada plasticidad, que modula la percepción de los estímulos con el medio.
El equipo a cargo del desarrollo está formado por especialistas pertenecientes al CNRS (Centre National de la Recherche Scientifique) y a la CEA (Commissariat à l'Énergie Atomique) de Francia.
“Básicamente, hemos demostrado que las cargas eléctricas que fluyen a través de una mezcla de un semiconductor orgánico y nanopartículas metálicas pueden comportarse de la misma manera que los neurotransmisores que se desplazan a través de una conexión sináptica en el cerebro”, explica Vuillaume Dominique, director de investigación del CNRS y del Grupo de Dispositivos y Nanoestructuras Moleculares del IEMN (Institute for Electronics Microelectronics and Nanotechnology).
Sus creadores suponen que el NOMFET podría dar paso a una nueva generación de ordenadores cuyo funcionamiento -en lugar de basarse en ceros y unos- funcione de forma similar a la de nuestro cerebro. El dispositivo imita la forma en la que los sistemas biológicos operan para crear nuevos “circuitos”, según puede leerse en el estudio publicado en la revista Advanced Functional Materials.
El secreto de su funcionamiento reside en las nanopartículas de oro recubiertas con pentaceno, materiales que juntos poseen una propiedad especial que le permite al NOMFET simular las funciones de las sinapsis.
El proceso de comunicación entre dos neuronas mediante la transmisión de impulsos eléctricos se denomina plasticidad, y puede verse como una especie de “efecto memoria”. Esta característica es la que permite a una neurona biológica “aprender” a asociar un estimulo que recibe con un estado particular de la salida. A medida que el proceso se repite una y otra vez, la neurona va optimizando su funcionamiento y cada vez es más eficiente generar una respuesta frente a un estímulo que ya conoce.
En realidad, el nuevo NOMFET no hace nada que un circuito electrónico más complejo no pueda hacer, sino que la innovación reside en que un solo componente hace todo el trabajo.
Hasta ahora, para imitar esta plasticidad, eran necesarios siete transistores CMOS (“complementary metal-oxide-semiconductor”), una de las tecnologías utilizadas masivamente para fabricar microprocesadores y memorias. Cuando se convierta en un dispositivo practico y disponible en grandes cantidades, el nuevo transistor orgánico permitirá construir una revolucionaria generación de ordenadores cuyo modo de funcionamiento se parecerá mucho al de un cerebro vivo.
Estas verdaderas “redes neuronales” basadas en los NOMFET podrán resolver problemas que a los ordenadores de silicio históricamente les han resultado difíciles de abordar, como el reconocimiento de imágenes o del habla humana.
Dominique explica que el cerebro humano contiene 10,000 veces más sinapsis que neuronas, lo que significa que si los científicos quieren desarrollar circuitos capaces de imitar el trabajo de nuestro cerebro necesitan desarrollar un dispositivo a nanoescala con un consumo de energía tan bajo como el de una sinapsis. “Esto ha impulsado la investigación de los dispositivos sinápticos a nanoescala”, señala Vuillaume.
“De hecho, ya hemos desarrollado redes neuronales y las hemos utilizado en algunas aplicaciones. Sin embargo, aunque los chips de silicio basados en CMOS se han diseñado y fabricado para emular el comportamiento del cerebro, este enfoque es limitado debido a que son necesarios varios transistores de silicio -al menos siete- para construir una sinapsis electrónica. En este caso, hicimos lo mismo con un único dispositivo”, concluye.
El especialista cree que el NOMFET puede “conducirnos a sistemas tan flexibles que puedan ser programados mediante el aprendizaje”. Si está en lo cierto, tu próximo ordenador quizás deba ser “educado” convenientemente antes de que lo puedas usar.

Hacia los Transistores Espintrónicos de Plástico

Unos físicos de la Universidad de Utah han conseguido controlar con éxito una corriente eléctrica usando el espín en los electrones. Este logro constituye un paso hacia la construcción de un "transistor de espín" orgánico: un interruptor semiconductor de plástico para los ordenadores ultraveloces y otros dispositivos electrónicos del futuro.
El estudio también sugiere que será más difícil de lo que se creía hacer diodos emisores de luz (LEDs) muy eficientes usando materiales orgánicos. Los resultados indican que tales LEDs no convertirían más del 25 por ciento de la electricidad en luz en lugar de en calor, contrariamente a las estimaciones anteriores del 63 por ciento.

Los semiconductores orgánicos o "LEDs de plástico" son mucho más baratos y fáciles de fabricar que los LEDs inorgánicos existentes, usados ahora en semáforos, fuentes de iluminación de algunos edificios, y como indicadores de encendido en ordenadores, televisores, teléfonos móviles, reproductores de DVD, módems, consolas de videojuegos y otros dispositivos electrónicos.
El estudio ha sido dirigido por Christoph Boehme y John Lupton, profesores de física en la Universidad de Utah.La noticia prometedora sobre los transistores de espín y la noticia aleccionadora sobre los LEDs orgánicos (OLEDs), son ambas el resultado de un experimento que fusionó la electrónica de los semiconductores orgánicos con la espintrónica, que es parte de la mecánica cuántica, la rama de la física que describe la conducta de las moléculas, los átomos y las partículas subatómicas.

Un átomo consta de un núcleo de protones y neutrones, y una coraza de electrones orbitando alrededor del núcleo. Además de la carga eléctrica, algunos núcleos y todos los electrones tienen una propiedad conocida como el "espín", que es como el momento angular intrínseco de una partícula. A menudo se describe el espín de un electrón como un imán en forma de barra que apunta hacia arriba o hacia abajo.

Los ordenadores y otros dispositivos electrónicos funcionan porque los electrones cargados negativamente fluyen a través de los circuitos conformando una corriente eléctrica. La información computerizada es reducida por los transistores a un código binario de unos o ceros representados por la presencia o ausencia de electrones en los semiconductores.
Los investigadores esperan desarrollar ordenadores aún más pequeños y rápidos usando el espín de los electrones así como su carga eléctrica, para almacenar y transmitir la información; el espín hacia arriba o hacia abajo de los electrones también puede representar a los unos y los ceros de la computación.
En el nuevo estudio, los investigadores han demostrado que la información puede transportarse por los espines en un polímero orgánico, y que es posible fabricar un transistor de espín.

miércoles, 26 de mayo de 2010

Crean un nuevo polímero para semiconductores orgánicos

Transporta cargas positivas y negativas y optimiza el funcionamiento de los circuitos de polímeros orgánicos
Ingenieros de la Universidad de Washington han desarrollado un nuevo polímero que puede transportar cargas positivas y negativas, en lo que constituye un importante avance para el mundo electrónico, al poder fabricar dispositivos de doble carga más flexibles, baratos y delgados. Con el nuevo material se ha construido un transistor diseñado de la misma manera que un modelo de silicio, y los resultados evidencian que el sistema funciona a la perfección, siendo el mejor rendimiento registrado hasta el momento en un único componente de polímeros orgánicos semiconductores.

Los semiconductores orgánicos podrían ampliar sus horizontes con este nuevo desarrollo. Foto: Universidad de Washington.

Un grupo de ingenieros e investigadores de la Universidad de Washington ha desarrollado un nuevo polímero que puede transportar cargas positivas y negativas, en lo que sería un importante avance para el mundo electrónico, al poder fabricar dispositivos de doble carga más flexibles, baratos y delgados.

La mencionada tecnología ya se encuentra disponible en algunos gadgets, como el reproductor Zune HD de Microsoft o el último modelo del Sony Walkman, que incorporan elementos orgánicos de estas características. Sin embargo, hasta el momento la gran limitación de los circuitos construidos con materiales orgánicos es que solamente admiten el transporte de un tipo de carga eléctrica.



La investigación de la Universidad de Washington, de la que informa el mencionado centro en un comunicado de prensa, y cuyos resultados han sido publicados en la revista especializada Advanced Materials, ha logrado desarrollar un material que permite el flujo de cargas en ambos sentidos (positivo y negativo).
Los semiconductores orgánicos desarrollados durante los últimos 20 años han tenido un inconveniente importante: solamente transmiten las cargas positivas. En cambio, los semiconductores de polímero trabajados por el equipo que conduce el especialista Samson Jenekhe logran transmitir cargas positivas y negativas y, de esta manera, amplían los enfoques y aplicaciones disponibles para esta tecnología.

La gran ventaja del nuevo polímero es que permite trabajar con cargas positivas y negativas con un único dispositivo. Foto: Universidad de Washington.

Un nuevo camino abierto La investigación fue financiada por la National Science Foundation, el Departamento de Energía de los Estados Unidos y la Fundación Ford, además de contar con la colaboración de expertos de la Universidad de Kentucky. La pregunta que surge a la vista de sus resultados es: ¿podrán estos nuevos materiales destronar al silicio de su sitial en la industria de la electrónica?.

Por lo pronto, presentarían varios beneficios de importancia: el silicio es bastante más costoso y requiere de una fabricación más onerosa. Al mismo tiempo, y debido a su contextura cristalina rígida, no facilita demasiado su uso en dispositivos flexibles, mientras que los polímeros o plásticos sí cuentan con esa facilidad.
Desde que se descubrió hace 30 años que ciertos plásticos o polímeros pueden conducir electricidad, se abrió un nuevo camino en el escenario de la electrónica que recién hoy está dando sus primeros pasos hacia la mayoría de edad. Es que desde ese momento los investigadores han estado trabajando para hacer más eficientes a estos materiales, en un esfuerzo largo y no exento de complicaciones.
La realidad es que hoy ya se emplean materiales orgánicos o basados en el carbono en diferentes dispositivos electrónicos, como ordenadores portátiles, sistemas de audio en automóviles y reproductores de MP3. Pero la desventaja de la transmisión en un “único sentido” pone un tope (por lo menos hasta hoy) a este tipo de desarrollos.
Teniendo en cuenta esta desventaja de los semiconductores orgánicos, en la actualidad deben aplicarse todo tipo de procesos complejos para compensar esta situación. El trabajo de la Universidad de Washington permite demostrar que no es necesario utilizar dos semiconductores orgánicos por separado, sino que puede utilizarse un tipo de material capaz de crear circuitos electrónicos independientes con funcionamiento en ambos sentidos (cargas positivas y negativas).

Principales aplicaciones
De esta forma, el nuevo material permitiría la construcción de transistores orgánicos y el desarrollo de otra información de procesamiento de los dispositivos mediante métodos similares, en simpleza y rapidez, a los circuitos de modalidad inorgánica que se desarrollan actualmente en la industria.
El grupo de ingenieros e investigadores ha utilizado el nuevo material para construir un transistor diseñado de la misma manera que un modelo de silicio, y los resultados evidencian que el sistema funciona a la perfección, siendo el mejor rendimiento registrado hasta el momento en un único componente de polímeros orgánicos semiconductores.

Por ejemplo, los electrones viajan cinco a ocho veces más rápido a través del dispositivo de la Universidad de Washington que en cualquier otro transistor de polímeros similar o desarrollado con anterioridad. Al mismo tiempo, la ganancia de voltaje fue de dos a cinco veces mayor que la observada en dispositivos convencionales.
De acuerdo a los responsables de la investigación, este desarrollo abre un nuevo camino en el terreno de la electrónica con materiales orgánicos, siempre y cuando el enfoque del trabajo sea encarado correctamente y se continúe avanzando en la optimización de los polímeros en cuestión.

Crean el primer transistor orgánico que imita el funcionamiento de las neuronas

Se basa en una propiedad neuronal llamada plasticidad, que modula la percepción de los estímulos con el medio.

Un equipo de investigación francés ha creado un transistor orgánico que podría abrir paso a una nueva generación de ordenadores capaces de responder de una manera similar a la del cerebro. La gran innovación de este nuevo transistor, al que han bautizado como NOMFET (Nanoparticle Organic Memory Field-Effect Transistor), consiste en la combinación de un transistor orgánico, basado en moléculas de pentaceno, con nanopartículas de oro. Por Elena Higueras.
Científicos del CNRS (Centre National de la Recherche Scientifique) y de la CEA (Commissariat à l'Énergie Atomique) han desarrollado el primer transistor capaz de imitar la forma en la que los sistemas biológicos, como las redes neuronales, operan para crear nuevos circuitos electrónicos, según se explica en un comunicado del CNRS que recoge asimismo www.alphagalileo.org. El estudio ha sido publicado en la revista Advanced Functional Materials.
Un transistor es el elemento básico de un circuito electrónico. Se comporta como un interruptor (que transmite o no una señal), pero además puede ofrecer otras funcionalidades, como la amplificación de la misma. La gran innovación de este nuevo transistor, al que han bautizado como NOMFET (Nanoparticle Organic Memory Field-Effect Transistor), consiste en la combinación de un transistor orgánico, basado en moléculas de pentaceno, con nanopartículas de oro.
“Efecto memoria”
Las nanopartículas de oro, recubiertas con pentaceno, poseen una propiedad especial que les permite simular la función de una sinapsis, es decir, del proceso de comunicación entre dos neuronas, durante la transmisión de sus impulsos eléctricos. Esta particularidad, denominada plasticidad, consiste en una especie de “efecto memoria”. Es la responsable de que la neurona sea capaz de “aprender” a asociar el estímulo (la señal que recibe) con sus “consecuencias” (lo que debe que hacer cuando lo recibe). Así, la neurona va optimizándose poco a poco, de modo que necesita “trabajar” menos para generar la misma respuesta ante un estímulo que ya conoce.
La plasticidad consigue que el componente electrónico pueda evolucionar en función del sistema en el que se coloca. Hasta ahora, para imitar esta plasticidad, eran necesarios siete transistores CMOS (un tipo de tecnología usada para fabricar la mayoría de los circuitos integrados, como microprocesadores o memorias).
Este nuevo transistor orgánico abre camino a nuevas generaciones de ordenadores “neuro-inspirados”, capaces de responder de una manera similar a la del sistema nervioso. A diferencia de las computadoras de silicio, ampliamente utilizadas en informática de alto rendimiento, los ordenadores “neuro-inspirados”, podrán resolver problemas mucho más complejos, como el reconocimiento visual.
Dominique Vuillaume, investigador del Instituto de Electrónica, Microelectrónica y Nanotecnología del CNRS y uno de los autores del estudio, afirma que el objetivo de NOMFET es conducir a una “respuesta colectiva como la que puede proporcionar una red neuronal integrada por múltiples informaciones”, lo que daría lugar a “sistemas tan flexibles que puedan ser programados por aprendizaje”.

La primera imagen de los átomos de una molécula En agosto de 2009, científicos del laboratorio de IBM en Zúrich lograron visualizar por primera vez la imagen completa de los átomos de una molécula. Era el pentaceno, un tipo de compuesto orgánico con el que, meses más tarde, los investigadores del CNRS y de la CEA han conseguido crear el nuevo transistor NOMFET. El pentaceno fue “fotografiado” gracias a un Microscopio de Fuerzas Atómicas (AFM), que permite ver y manipular la materia a dicha escala. La captación de su imagen supuso un avance significativo en el desarrollo de la electrónica molecular. Sin duda, un paso más para aumentar las prestaciones de dispositivos electrónicos como ordenadores o teléfonos móviles.

Diabéticos “con suerte” dentro de lo que cabe

Nanohilos de silicio en el BioFET y su “secreto” químico. (c) IOP

La diabetes es una enfermedad crónica que padecen muchos (que padecerán muchos más en el futuro) que requiere un estricto control alimentario y medidas periódicas de los niveles de glucosa en sangre. Estas medidas son engorrosas para el enfermo. Un medidor continuo de glucosa podría ser la base del sistema microelectrónico de un “páncreas” artificial, que produjera insulina sólo cuando fuera necesaria. Avances recientes nos indican que esta posibilidad no se puede descartar en un futuro no muy lejano (si eres diabético, lo siento, esto puede tardar más de una década).
Se acaba de publicar el desarrollo de un nuevo tipo de sensor de glucosa nanotecnológico que utiliza nanohilos de silicio para medir en vivo y de forma continua la cantidad de glucosa en sangre [Mohanty's group, "Silicon-based Nanochannel Glucose Sensor," Appl. Phys. Lett. 92, 013903 (2008)]. El biosensor desarrollado por Raj Mohanty en la Universidad de Boston puede implantarse fácilmente en el paciente y puede sustituir a las medidas “gota a gota” de la glucosa. El nuevo sensor, que mejora sustancial nanosensores previos [Chen et al. "Silicon nanowires for high-sensitivity glucose detection," Appl. Phys. Lett. 88, 213104 (2006)] que tenían el gran inconveniente de que eran difíciles de fabricar con las tecnologías actuales (litografía de electrones) de fabricación de chips de silicio (como el Pentium que tienes en el ordenador en el que lees esto).

El nuevo nanosensor utiliza un conjunto de nanohilos (nanocanales) de silicio recubiertos del enzima glucosa-oxidasa que generan un efecto tipo transistor de efecto de campo (FET) biológico (BioFET) [ver la foto, arriba]. La glucosa-oxidas en cada nanohilo de unos 50-100 nanómetros de ancho y unos 6 micrometros de largo permite oxidar la glucosa en sangre mediante una reacción en dos pasos [ver la foto, arriba]. En el primer paso, una molécula de glucosa-oxidasa contiene dos moléculas de una forma oxidada del dinucleótido de flavina y adenina (FAD) que se reduce rápidamente con oxígeno produciendo peróxido de hidrógeno y restarando la forma no oxidada de dicho enzima. En el segundo paso, el polihidroxiácido gluconolactona esponténeamente se hidroliza a ácido glucónico generando un protón (ión de hidrógeno) que cambia localmente el pH de la solución. Los nanosensores son sensibles a dicho cambio de pH, que altera el potencial superficial de los nanohilos y genera un campo eléctrico que modula la conductancia del BioFET. Este efecto es fácilmente amplificado con tecnología estándard de silicio.

El nuevo nanosensor es biocompatible gracias a la tecnología utilizada (aunque todavía no se ha verificado este hecho con experimentos en animales, según Mohanty, actualmente en curso). El nuevo avance permitirá una incorporación más rápida en el mercado de este tipo de bio-nanosensores de glucosa [Belle Dumé, "Glucose sensor goes nano," nanotechweb.org, 2008] lo que hará más soportable la convivencia con la diabetes (especialmente para niños y ancianos).

¿Cómo se hace un genio? (o la historia de Bardeen y el primer transistor)

John Bardeen entró en 1923 en una universidad americana de “segunda” la University of Wisconsin, en Madison, para estudiar ingeniería. El hijo de uno de sus profesores de Matemáticas, John Van Vleck, nueve años mayor que él, llegó a la University of Wisconsin a finales de 1928 para impartir un curso anual sobre Física Cuántica, uno de los primeros cursos de este tipo en EEUU, que introdujo a Bardeen a la Mecánica Cuántica que se acababa de desarrollar en Europa entre 1925 y 1926. Van Vleck era experto en la “antigua” mecánica cuántica y había escrito en 1926 un libro de texto sobre ella, “Quantum Principles and Line Spectra.” Que Bardeen también estudió. Bardeen destacó como alumno y Van Vleck le recomendó que considerara seriamente una carrera en Física. Él pensabe que “las únicas salidas de Física y Matemáticas eran dar clase en la Universidad y él no quería acabar así.” Ya graduado decidió estudiar alemán durante un año y aprovechó para estudiar los cursos de doctorado en Física. Entre estos cursos, recibió uno del holandés Peter Debye y otro del británico Paul Dirac, de sólo 27 años. Dirac cubrió en su carso la mayor parte de su futuro libro de texto “The Principles of Quantum Mechanics,” todo un clásico hoy en día. Por Madison también pasaron otros genios de la nueva mecánica cuántica, como Werner Heisenberg y Arnold Sommerfeld.

Bardeen acabó los cursos de su carrera en 1928, con 20 años, y defendió su proyecto fin de carrera (Master Thesis) en 1929. Solicitó una beca para visitar Europa, en concreto para estudiar Física en el Trinity College de Cambridge, UK. Sin embargo, a pesar de sus buenas recomendaciones, no se la concedieron. Se tuvo que quedar en Madison como ayudante de investigación de Edward Bennett que trabajaba en los efectos de la difreacción en el diseño de antenas. La depresión de 1929 hizo difícil que Bardeen encontrara trabajo, recayendo finalmente en 1930 en la “Gulf Oil Company” de Pittsburgh, que le ofreció un puesto de geofísico, para estudiar prospecciones petrolíferas.

La investigación y el mundo académico “tiran mucho.” Bardeen decidió retornar, abandondando un buen puesto de trabajo en Gulf. Solicitó ser admitido en Princeton para desarrollar un Doctorado en Matemáticas, en 1933, cuando ya tenía 25 años. La cruzada de Hitler contra los científicos judíos hizo que muchos emigrasen a EEUU y algunos de los mejores acabarían en Princeton, atraídos por el nuevo Institute for Advanced Study (fundado por un propietario de una línea de supermercados que no sufrió la crisis del 1929, “todo el mundo tiene que comer,” y quiso “retornar” a sus conciudadanos parte de sus beneficios). Al IAS llegaron físicos de la talla de Albert Einstein, Hermann Weyl, Eugene Wigner o John von Neumann. En 1933, Princeton era uno de los mejores lugares de EEUU para estudiar Física y Matemáticas, todo un paraíso.

Walter Brattain era uno de los compañeros de clase de Bardeen en Princeton y rápidamente “hicieron buenas migas”. Walter simultaneaba sus estudios con un trabajo como físico en los Bell Telephone Laboratories, la rama de investigación y desarrollo de la American Telephone and Telegraph Corporation (AT&T). Era de los pocos físicos de los Bell Labs que pensaba que la mecánica cuántica sería muy importante a la hora de resolver los problemas de comunicaciones de la AT&T. Logró que la propia compañía le pagara los estudios tras asistir a una conferencia de Arnold Sommerfeld, en Ann Arbor, en la Escuela de Verano de Física Teórica de Michigan en 1931, sobre las nuevas teorías ”del electrón” en los metales.

Eugene Wigner estaba interesado en aplicar la nueva mecánica cuántica al estudio de los sólidos. Bardeen decidió hacer su tesis doctoral bajo la dirección de Wigner (sólo 6 años mayor que él). Wigner le sugirió a Bardeen que calculara la función de trabajo de un metal, la energía necesaria para extraer un electrón de su superficie. Una tesis doctoral en Física Teórica del Estado Sólido, a principios de los 1930s cuando sólo en 2 lugares en el mundo se ofrecían doctorados en este tópico: uno en el MIT, en Massachusetts, bajo la dirección de John Slater, y otro en la University of Bristol, Gran Bretaña, bajo la dirección de John E. Lennard-Jones, Nevill Mott, y Harry Jones. En su tesis doctoral Bardeen utilizó la aproximación de Hartree-Fock para la función de onda del electrón en un metal con objeto de resolver el problema planteado por Wigner. La defendió en enero de 1936 (su padre falleció el año anterior lo que le retrasó la defensa de la tesis). Gracias a su tesis logró una plaza de investigador en Harvard, Cambdrige, el mejor lugar para realizar un postdoc en EEUU en la época, como “junior fellow”.

En Harvard, Bardeen trabajó entre otros temas de la física del estado sólido en la teoría de la superconductividad. En 1933, Meissner y Ochsenfeld descubrieron que los superconductors repelen campos magnéticos, el “efecto Meissner,” lo que indicaba que la transición de fase entre estado normal y superconductor de un metal era reversible. Los hermanos London, Fritz y Heinz, desarrollaron una teoría fenomenológica de la superconductividad para explicar dicho efecto. Bardeen trató de extender y generalizar esta teoría pero sin éxito. Entre 1935-36, Bardeen se hizo amigo de William Shockley, entonces estudiante de doctorado de Slater. En marzo de 1936, Shockley recibió una oferta de trabajo envidiable para trabajar en los Bell Telephone Laboratories que no pudo rechazar. Para sorpresa de sus compañeros, Bardeen abandonó Harvard en mayo de 1938 para aceptar una plaza de Assistant Professor en la University of Minnesota, Minneapolis, invitado por John Tate, editor principal de la revista Physical Review, quien fue director de la tesis doctoral de Walter Brattain, quien deseaba un departamento “fuerte” en física del estado sólido. Bardeen aprovechó para casarse.

Con la Gran Guerra, se vio obligado a abandonar la Universidad y dedicarse a servir a la patria en investigación militar (acabó recibiendo una Medalla al Mérito Civil). Tras la guerra, la Física del Estado Sólido era reconocida como una de las grandes ramas de la Física y Kelly, los Bell Labs, quien atrajo a Shockley, quería formar un grupo “fuerte” en esta materia. Contaba también con Walter Brattain entre otros, y estaba intereado en Bardeen, a quien ofreció mejor salario y sin obligaciones docentes. Bardeen no pudo rechazar la oferta y el 15 de octubre de 1945 ya era miembro de los Bell Labs para trabajar en física de semiconductores, junto a Brattain y Shockley.

El 22 de octubre de 1945, Shockley le pidió a Bardeen que estudiara un diseño que había desarrollado 6 meses antes para un amplificador de “efecto de campo” de silicio. Sin embargo, el diseño en la práctica no funcionaba. Shockley no sabía el porqué, ya que las teorías de semiconductores en boga como las de Mott y Schottky predecían lo contrario. Bardeen sabía que la teoría debía estar mal. Faltaba algo. Aplicó algunas de las técnicas que desarrolló en su tesis doctoral para el estudio de electrones en superficies y mejoró la teoría, pero no logró resolver el problema completamente. En verano de 1947, Shockley y Bardeen estuvieron de gira por Europa. Tras retornar, Shockley decidió reorientar su investigación a problemas de dislocaciones en semiconductores.

Noviembre de 1947 fue el mes “mágico” para Bardeen: Brattain había encontrado que gotas de agua en la superficie del amplificador de Shockley alteraban mucho su comportamiento eléctrico. Bardeen sugirió que los iones móviles en los electrolitos (o las gotas de agua) podían crear un campo eléctrico suficientemente grande como para superar los estados electrónicos superficiales que reducían el efecto de amplificación. Depositando agua o un electrolito se lograba formar una capa de carga positiva en una superficie y una negativa en la otra, con lo que habían logrado fabricar un amplificador de efecto de campo. El 20 de noviembre, escribieron la solicitud de patente. Por supuesto, quedaban muchos detalles por concretar. Shockley no intervo en el descubrimiento, estaba “en lo suyo”. Bardeen, teórico, trabajó mano a mano con Brattain (físico) y con Gibney (químico) en la parte experimental. Aunque la propuesta de Bardeen del 21 de noviembre todavía no presentaba el efecto amplificador deseado, contenía los elementos fundamentales del primer transistor.

Las mejoras al primer diseño de Bardeen fueron desarrolladas por él y Brattain, fundamentalmente. Los avances en el diseño fueron muy rápidos. Día a día el diseño iba mejorando con nuevas ideas. Uno de los cambios más importantes, en el que intervino Shockley, fue sustituir el silicio por germanio, sugerencia conjunta de Brattain y Shockley durante el almuerzo el 8 de diciembre. Gracias a ello lograron obtener el efecto de amplificación. El 10 de diciembre, habían logrado una ganancia en potencia de 6000 con un transistor muy similar a los actuales MOSFET. El primer transistor, que vemos en la foto, es del 16 de diciembre de 1947.

Shockley, en las navidades de 1947, se dió cuenta de la importancia del descubrimiento de Brattain y Bardeen, y se puso a trabajar duro y el lunes, 28 de diciembre, había diseñado el primer transistor bipolar. Citó por separado a Brattain y Bardeen para “que quedara clara” su participación en el descubrimiento. Kelly quería que todo se mantuviera en el más absoluto secreto (se rumoreaba que había un descubrimiento similar en Europa). El 30 de junio de 1948 se hizo público el dispositivo que ya tenía nombre: transistor. A partir de ese momento, Shockley, Brattain y Bardeen se convirtieron en “estrellas”, viajando por todo el país dando múltiples conferencias. Shockley estaba encantado en su papel de “estrella”. Brattain y, sobre todo, Bardeen estaban “hartos”. En 1950, Bardeen ya no quería trabajar en los mismos problemas que Shockley y empezó a darle vueltas al problema que le quitó el sueño antes de la Gran Guerra, la superconductividad. Pero esa es otra historia.

Memristores, un paso más en la computación

Los ingenieros de Hewlett-Packard han desvelado al mundo la fabricación del memristor. Considerados los chips del futuro, pueden almacenar y procesar datos de forma simultánea, con un tamaño mucho más pequeño que el de un transistor.
Los ingenieros de HP han anunciado que finalmente pueden fabricar dispositivos que utilicen memristores, en lugar de los transistores que habilitan a todos los chips en la computación actual. En 1971, el profesor de ingeniería electrónica Leon Chua propuso un teórico componente de electrónica básica llamado memristor; en 2008, Hewlett Packard convirtía el memristor en realidad, informa la BBC. Los memristores mejoran a los transistores en tres aspectos fundamentales: permiten que el mismo dispositivo pueda servir como procesador y memoria y, al eliminar el tiempo de comunicación y el consumo de energía entre las diferentes partes de hardware, un sistema de memristor podría funcionar mucho más rápido y con mucha menos energía que una computadora tradicional. Además, son mucho más pequeños que los transistores. La mecánica cuántica limita la cantidad de pequeños transistores que puede haber, un límite al que la tecnología actual se está acercando rápidamente. Los memristores permitirían a los chips de computadoras continuar reduciendo su tamaño superando el límite anteriormente establecido, todo ello sin recurrir a otros trucos como los chips de grafeno o la propia computación cuántica. Por último, a diferencia de los transistores, que sólo funcionan en forma lineal, los memristores pueden formar redes tridimensionales. Esta nueva dimensión exponencialmente amplía el número de conexiones, y por lo tanto la potencia del ordenador con memristor.
Los ingenieros de Hewlett Packard han creado ya unos cuantos dispositivos simples que se ejecutan mediante memristores como prueba de concepto, y piensan que pueden tener los primeros modelos de trabajo capaces de sustituir algunas piezas de las computadoras actuales dentro de tres años. El avance podría aumentar la potencia y memoria en el campo de la computación a proporciones casi inimaginables en tan sólo un par de años.

Llega el 'chip' de grafeno

El español Tomás Palacios, profesor del MIT, consigue fabricar transistores de grafeno 10 veces más rápidos que los de silicio. Los 'chips' del revolucionario material, de un átomo de espesor, podrían alcanzar velocidades de mil GHz.

Primero fue el cobre. Este material permitió transmitir información de un punto a otro. Después llegó el germanio del transistor original, creado en los laboratorios Bell. Empezaba la era de la informática pero, como el material era inestable, fue sustituido por el silicio, el semiconductor con el que se fabrican los microprocesadores desde el siglo pasado.

El reinado del silicio está llegando a su fin. No sufran, ya tiene sustituto y se llama grafeno. En 15 o 20 años ordenadores, móviles, sensores y otros equipos electrónicos serán de este nuevo material, una forma de carbono puro.
Un equipo de investigación del Instituto Tecnológico de Massachussets (MIT), liderado por el español Tomás Palacios, está fabricando alguno de los primeros aparatos y circuitos electrónicos basados en grafeno, descubierto en 2004 por los científicos Andre Geim y Kostya Novoselov de la Universidad de Manchester.

Con propiedades entre semiconductor y metal, este nuevo material de una sola capa atómica de espesor revolucionará las telecomunicaciones y la informática al permitir la fabricación de microprocesadores, sensores y sistemas de comunicación mucho más veloces que los actuales. "Uno de los paradigmas de la electrónica es incrementar la frecuencia de las señales eléctricas, para fabricar ordenadores cada vez más rápidos o móviles capaces de transmitir datos a mayor velocidad. "Si con los chips de silicio podríamos llegar como máximo a los 100 GHz de velocidad, usando transistores de grafeno se alcanzaría el terahercio (1 THz). Es decir, 10 veces más", dice este madrileño de 30 años, profesor del MIT.El prototipo de "transistor de grafeno" fue presentado en la reunión anual de la Sociedad Americana de Física en marzo. También se publicará en la Electron Device Letters, la revista más prestigiosa de aparatos eléctronicos de Estados Unidos, en su edición de mayo. Si todo va bien, en dos años saldrán versiones comerciales de estos chips avanzados al mercado.

El equipo de Palacios no sólo ha fabricado transistores diez veces más rápidos que los de silicio. También aprovecha las propiedades del grafeno para desarrollar aparatos electrónicos que no se podrían fabricar con ningún otro material. Por ejemplo, un multiplicador de frecuencia que "mejorará las comunicaciones inalámbricas y la electrónica de silicio actual, duplicando la capacidad de transmisión de cada chip al que se le añada el multiplicador".

Palacios es un ingeniero de telecomunicaciones. Con 19 años ya investigaba sobre semiconductores compuestos, como el nitruro de galio, en la Universidad Politécnica de Madrid (UPM). Al año de acabar la carrera, se trasladó a la de California para ampliar estudios. Terminado el doctorado, consiguió plaza de profesor en el departamento de ingeniería electrónica y ciencias de la computación del MIT. Además, empezó a dirigir un equipo de 12 personas en los laboratorios de tecnología de microsistemas del mismo centro tecnológico. Allí han conseguido fabricar los transistores de grafeno capaces de transmitir datos a gran velocidad. También desarrollan un sensor basado en este material que, con sólo apuntar a un alimento, determinará si es fresco.

El grafeno es carbono en estado puro. Muchos investigadores lo han estudiado de manera teórica durante más de 50 años. Nadie creía que se podían fabricar dispositivos con este material hasta que, en 2004, científicos de la universidad de Manchester (Gran Bretaña) descubrieron cómo obtener grafeno del grafito, el material de la mina del lápiz. "Si pegas y despegas múltiples veces un trozo de celo impregnado con fragmentos de grafito de la mina, acabas obteniendo grafeno: una única capa de átomos de carbono", precisa Palacios.

El procedimiento era muy rudimentario, pero abrió la puerta para que muchos científicos empezaran a trabajar con el material, cuyas propiedades son "asombrosas y únicas. A nivel mecánico, es el más resistente jamás descubierto. En un futuro, podría permitir la fabricación de cualquier estructura, como coches y aviones, más resistente y ligera. A nivel electrónico, es el de mayor movilidad, cien veces la del silicio, lo que permite acelerar los electrones hasta velocidades muy superiores a las posibles en cualquier otro semiconductor", asegura Palacios.

Graphene Industries, creada por los descubridores del grafeno, es la única compañía que lo vende. De momento. Varios grupos universitarios y empresas tratan de desarrollar una manera alternativa para obtenerlo, y que sea fácil de producir industrialmente, su principal escollo.

Jing Kong, colega de Palacios en el MIT, crea obleas enteras de grafeno sobre una superficie de níquel. "Este método es más útil desde el punto de vista comercial, sin embargo la movilidad del grafeno es menor que la que se obtiene pegando y despegando trozos de celo". El investigador, convencido de sus posibilidades, afirma: "Es un material increíble. No sólo revoluciona la electrónica, la informática y las comunicaciones, sino que está cambiando la manera en la que se estudia la física".

Mini acelerador de partículas

¿Le suena el acelerador de partículas del CERN? El complejo, que ocupa kilómetros cuadrados cerca de Ginebra (Suiza), sirve para explorar el mundo de lo infinitamente pequeño para buscar los elementos fundamentales de la materia. Los físicos están tratando de usar el grafeno para fabricar una especie de acelerador en miniatura. "En un fragmento de grafeno de un único centímetro cuadrado es posible realizar muchos de los experimentos que hasta ahora requerían laboratorios como el del CERN".

Si se convierte en realidad, los científicos podrían buscar el Bosón de Higgs, una partícula elemental hipotética, que aún no ha sido observada, y conocida como la partícula Dios, en un laboratorio que cabe en la yema del dedo.
Materiales que han cambiado el mundo

En la naturaleza, los materiales se pueden dividir en tres tipos según cómo conducen la electricidad: los conductores, los aislantes y los semiconductores.

El cobre fue, es y seguirá siendo un material estratégico, que se emplea desde la antiguedad. Es el metal no precioso (oro, plata) que mejor conduce la electricidad. El cable que permitió transmitir información de un punto a otro por primera vez estaba hecho de este duradero material que se puede reciclar casi ilimitadamente. También utilizan cobre los cables eléctricos, los componentes de numerosos equipos electrónicos y la mayoría de hilos telefónicos que dan acceso a Internet.

El primer transistor era de germanio, un semiconductor, y fue inventado por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley en los laboratorios Bell, por lo que recibirían el Premio Nobel. Su desarrollo desembocó en numerosas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero fue rápidamente sustituido por el silicio, otro semiconductor mucho más estable y fácil de fabricar. Actualmente, el germanio se emplea en la fabricación de fibra óptica o los equipos de visión nocturna, entre otras aplicaciones.

Hasta ahora, el mejor material para desarrollar los transistores de los chips es el silicio, el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre.

La región al sur de San Francisco, donde se concentran muchas empresas de informática y electrónica, se conoce como Silicon Valley (Valle del Silicio). Sin embargo, este material, que se obtiene de la arena, no sirve para fabricar emisores de luz como el láser, los LEDs o las señales de tráfico, de ahí que se desarrollaran los semiconductores compuestos, como el arseniuro de galio y el nitruro de galio. Los móviles, por ejemplo, combinan varios chips de silicio, arseniuro de galio y nitruro de galio, entre otros componentes.

martes, 25 de mayo de 2010

Tan fácil como tocar y pegar o cómo depositar capas monoatómicas de grafeno sobre silicio y óxido de silicio utilizando cobre

Finas capas monoatómicas de grafeno depositadas químicamente sobre cobre (tras el primer minuto). (C) Science


El grafeno es fácil de fabricar, basta “rascar” grafito de la mina de un lápiz. Otro asunto muy distinto es depositar una capa monoatómica de grafeno sobre un substrato. Muchos grupos de investigación están trabajando en técnicas de deposición de grafeno sobre obleas de silicio. Los avances son constantes. Hoy se publica en Science Express una técnica que permite depositar películas de grafeno de varios centímetros cuadrados sobre substratos de cobre (mediante deposición química en fase de vapor usando metano). Más del 95% del grafeno depositado es monoatómico. Estas finas películas se pueden transferir a un substrato de Si/SiO2 por contacto directo. Tan fácil como contarlo. La gran ventaja del grafeno es su altísima velocidad. Con la nueva técnica los electrones en el grafeno alcanzan una mobilidad de hasta 4300 cm2V-1s-1 a temperatura ambiente. El avance lo han obtenido físicos tejanos. El artículo técnico es Xuesong Li et al. “Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils,” Science Express, Published Online May 7, 2009 . Muchos se han hecho eco del mismo, como “Faster Computers, Electronic Devices Possible After Scientists Create Large-area Graphene On Copper,” ScienceDaily, May 7, 2009 , o “Lage-area graphene films on copper step towards faster computers,” Nanowerk News, May 7, 2009 .
Rod (Rodney S.) Ruoff, coautor del artículo, nos recuerda que “el grafeno permitirá ordenadores más rápidos, con un menor consumo, nuevas células solares fotovoltaicas para producción de electricidad, nuevos dispositivos de comunicaciones de muy alta frecuencia, y nuevas tecnologías para pantallas planas de TV.” Rod se ha quedado sin aire. El grafeno sirve para todo, pero su mayor ventaja ya la contamos en este blog, se pega muy bien sobre silicio u óxido de silicio, materiales ampliamente utilizados en la industria microelectrónica actual. El grafeno es el paso intermedio ideal hacia la nanoelectrónica: capas monoatómicas (de menos de un nanómetro de espesor) trabajando de la mano con dispositivos y estructuras semiconductoras convencionales (con la tecnología de 0.12 micras son estructuras 250 veces más gruesas).

Ya se fabrican en laboratorio transistores de efecto de campo (tipo FET) que utilizan grafeno. Todo sería más fácil si se pudiera dopar el grafeno como se hace con el silicio para obtener materiales semiconductores dadores (tipo n) y aceptores (tipo p) de electrones. Ya se sabía que las nanotiras de grafeno (de sólo unas decenas de nanómetros de anchura) a temperatura ambiente adsorben (se adhieren) moléculas aceptoras de electrones (tipo p). Hoy se publica en Science un artículo que muestra que al calentar estas nanotiras de grafeno en una atmósfera con amoniaco, el nitrógeno se incorpora al grafeno (pegándose literalmente a su borde) convirtiéndolo en un material dador de electrones (tipo n). Moléculas que se pegan a los bordes de la nanotira de grafeno y que alteran sus propiedades. Más aún, de esta forma se pueden obtener grafeno (dopado) tipo p y tipo n de una manera sencilla y efectiva, lo que facilitará el desarrollo de nuevos tipos de transistores y dispositivos nanoelectrónicos. La ciencia y técnica del grafeno avanzando a pasos agigantados. Lo que está de moda, ya se sabe, está de moda. El artículo técnico es Xinran Wang et al. “N-Doping of Graphene Through Electrothermal Reactions with Ammonia,” Science, 324: 768-771, 8 May 2009 .

La analogía entre un transistor y un grifo llevada a su extremo utilizando microfluidos


Un diodo y un transistor FET implementados mediante un dispositivo con tres capas. El diodo es análogo a una válvula de retención y el transistor a una de conmutación. (C) Nature Physics.

Diodos, transistores FET y muchos otros dispositivos electrónicos se pueden implementar mediante circuitos de microfluidos autocontrolados por presión sin necesidad de ninguna electrónica de control. Utilizando estos dispositivos completamente microfluídicos es posible diseñar osciladores, temporizadores y otros dispositivos “microelectrónicos” utilizando sólo fluidos y materiales elásticos que actúan como válvulas. Mosadegh et al. publican en Nature Physics un modelo de arquitectura escalable, versátil y normalizada para este tipo de dispositivos. Un gran avance con múltiples aplicaciones biomédicas donde la microelectrónica es invasiva y contraproducente. El artículo técnico es Bobak Mosadegh et al., “Integrated elastomeric components for autonomous regulation of sequential and oscillatory flow switching in microfluidic devices,” Nature Physics, Published online 18 April 2010.

Para los estudiantes de electrónica, ingeniería y física a los que les han explicado el funcionamiento de un transistor como si fuese un grifo de agua, este tipo de sistemas microfluídicos análogos a diodos y transistores serán de gran interés. Además, normalmente la analogía se aplica a transistores bipolares, con lo que espero que disfruten con su aplicación a transistores de efecto de campo (FET). Las analogías físicas siempre ayudan y muchas veces son la base de un nuevo campo de conocimiento. En resumen, un artículo muy curioso, sin lugar a dudas.

Toshiba prepara un disco duro híbrido con tecnología tradicional y de estado sólido

La compañía japonesa Toshiba ha anunciado sus planes de futuro en el mercado de las memorias, que incluyen la fabricación de chips de memoria Flash de 64 bits con tecnología de entre 20 y 29 nanómetros, memorias con varias capas de silicio para aumentar su capacidad y discos duros híbridos.

Según cuenta
Tech-On, Toshiba aumentará su capacidad de fabricación de chips de memoria Flash con una nueva planta cuya construcción se iniciará en julio y terminará la próxima primavera. Pero antes que eso planea comenzar a producir chips de 64 bits con tecnología de fabricación 2Xnm, es decir, de entre 20 y 29 nanómetros, porque, según Norio Sasak, consejero delegado de la compañía, las mismas técnicas que se han usado para los chips de 32 nanómetros pueden emplearse a un tamaño más pequeño.
Cuando se habla de nanómetros al referirse a la producción de circuitos integrados o chips, se refiere al tamaño que ocupa un transistor, que es el "ladrillo" con el que se construyen estos ingenios electrónicos. A menor tamaño, si todo lo demás permanece constante, el chip resultante será más pequeño (claro), con menor consumo y más rápido. No obstante, suele aprovecharse para aumentar el número de transistores del circuito, lo que en un chip de memoria se traduce en una mayor capacidad.
Por otro lado, Toshiba está planeando introducir nuevas tecnologías como BiCS (Bit Cost Scalable) para reemplazar a las tradicionales memorias Flash. BiCS permitiría aprovechar las tres dimensiones incorporando varias capas de circuitos integrados colocadas verticalmente aumentando la capacidad sin incrementar la superficie.
Además, la empresa japonesa estaría preparando un nuevo tipo de disco duro híbrido, que incorporaría tanto memoria Flash, como los discos de estado sólido, como un disco magnético de los de toda la vida. El objetivo sería disponer de la capacidad de almacenamiento de un disco duro tradicional pero mejorando tanto su rendimiento como su consumo de energía. Este aparato podría ahorrar hasta un 80% de la energía gastada por estos dispositivos, según Toshiba.

Memorias flash “inteligentes” que utilizan memristores nanotecnológicos




Conmutadores memresistivos formados cruce de un nanohilo con 17 nanohilos transversales (izq.) y curva de histéresis de cada uno de ellos (der.). Cada nanomemristor tiene un tamaño de 50 nm × 50 nm. (C) Nature.

La “cerebro” de tu ordenador funciona gracias a la operación conjunta de una memoria para los datos y unos circuitos electrónicos que implementan operaciones lógicas que se aplican a los datos y que controlan el flujo de estas operaciones. Utilizando nanocircuitos basados en un nuevo elemento circuital, llamado memristor, es posible unir ambas funciones en una sola. Además, los memristores son elementos nanotecnológicos ya que se pueden fabricar en un área de 50 nanómetros cuadrados. Julien Borghetti y sus colegas publican en Nature como un memristor puede implementar operaciones lógicas que combinan circuitos combinacionales y secuenciales en un solo elemento. El nuevo artículo demuestra que un circuito con sólo dos memristores puede utilizados para ejecutar la operación lógica de implicación, IMP, y con sólo tres memristores la operación lógica NAND (“no y” lógico). Recuerda cuando estudiaste “Lógica” que p IMP q significa “p implica q,” o “si p, entonces q,” que equivale a (NOT p) OR q, y que la operación p NAND q, significa “no (p y q),” es decir, NOT(p AND q). Esta última puerta es una puerta universal, toda función lógica se puede implementar utilizando sólo puertas NAND. Leon Chua en 1971 propuso un cuarto elemento eléctrico pasivo, el memristor (M), contracción de “memory-resistor” (resistencia con memoria), que como indica su nombre combina un elemento de memoria y una resistencia. El memristor complementa a los tres elementos ya conocidos en teoría de circuitos: la resistencia (R), el condensador (C) y la inductancia (L). Hace dos años se descubrió como fabricar memristores nanotecnológicos (en este blog). La ventaja de los memristores es que funcionan a la vez como elementos de memoria y como operadores lógicos (en la tecnología convencional se requiere una implementación separada de elementos de memoria, lógica secuencial, y elementos lógicos, lógica combinacional). El artículo técnico es Julien Borghetti, Gregory S. Snider, Philip J. Kuekes, J. Joshua Yang, Duncan R. Stewart & R. Stanley Williams, “‘Memristive’ switches enable ‘stateful’ logic operations via material implication,” Nature 464: 873-876, 8 April 2010.




Implementación de la implicación (IMP) con dos memristores P y Q. (C) Nature.

En 1936, más de una década antes de la invención del transistor, Claude Shannon inventó la electrónica digital en su proyecto fin de carrera. Mostró como implementar las operaciones booleanas básicas, p OR q, y p AND q, utilizando circuitos electrónicos con contenían conmutadores en serie (puerta OR) y paralelo (puerta AND). Utilizando un relé logró incluir la operación NOT. La implicación IMP y la puerta siempre falso definen un conjunto universal de puertas lógicas (toda función lógica se puede construir con ellas), también lo define una única puerta NAND (o NOR). El artículo de Borghetti et al. muestra cómo implementar una operación IMP utilizando dos memristores y una operación NAND con tres memristores.

Implementación de una puerta lógica NAND con tres memristores (P, Q, y S). (C) Nature.

La gran ventaja de los circuitos con memristores es que no hay que separar los circuitos lógicos de la memoria donde se almacenarán los datos. Además, estos circuitos son nanoelectrónicos ya que cada memristor requiere unos 50 nanómetros cuadrados. Con una matriz de memristores podríamos obtener una memoria RAM “inteligente” capaz de almacenar datos y realizar operaciones sencillas con ellos, acelerando la velocidad de procesamiento de datos sin incrementar la potencia consumida y minimizando al máximo el espacio físico utilizado para su implementación.
El futuro de las memorias flash (que todos usamos en los lápices de memoria USB) promete ser realmente revolucionario en los próximos años con terabytes de memoria en lápices de memoria con un tamaño mínimo (el del conector del puerto USB)